Слух: Samsung поставит AMD микросхемы памяти HBM3e на $3 миллиарда

Современные ускорители высокопроизводительных вычислений, способные показать хорошую производительность при работе с искусственным интеллектом, требуют большое количество видеопамяти и высокую пропускную способность, что можно получить за счет использования микросхем HBM последнего поколения.

В прошлом квартале Samsung объявила о начале массового производства 12-слойной HBM3e, предлагающей объем 36 Гбайт и пропускную способность 1280 Гбайт/с на стек, на что обратили внимание крупные производители ускорителей, такие как AMD, которой удалось заключить выгодный контракт на огромную сумму.

Утверждается, что Samsung и AMD заключили сделку на поставку микросхем HBM3e на $3 миллиарда, причем часть этой суммы будет выплачена не денежной массой, а ускорителями высокопроизводительных вычислений, но без упоминания наименования.

Во второй половине этого года AMD планирует выпустить Instinct MI350X с памятью HBM3e, за счет чего ускоритель сможет предложить до 288 Гбайт видеопамяти.